湖北快3

湖北快3 >碳化硅MOSFET驱动及保护设计

会议详情

主 题:碳化硅MOSFET驱动及保护设计 演讲人:赵佳,郑姿清 时 间:2019-06-04 10:00:00 简 介: 作为第三代半导体器件,碳化硅MOSFET越来越受到学术界和工业的关注。碳化硅器件在给系统带来种种优势的情况下,对设计也提出了更高的要求。如果设计碳化硅MOSFET的驱动电炉,如何在故障情况下保护碳化硅MOSFET,已经成为产品设计中必须面对的问题。本期研讨会将由英飞凌工程师为你详细讲解。
如果您希望收到会议短信提醒,请留下您的手机号码:
演讲人简介: 赵佳,高级应用工程师,工学硕士。现任英飞凌集成电路(北京)有限公司现场应用工程师,主要研究方向为大功率电力电子器件及第三代宽禁带半导体应用技术与测试相关技术。


  郑姿清,英飞凌科技(中国)有限公司,高级应用工程师。专注于IGBT器件开关性能的研究和测试超过十年,熟悉IGBT,SiC特点,擅长功率开关器件的驱动设计。2007年毕业于上海海事大学,电力电子专业,随后进入英飞凌工作,主要负责各种实验室测试工作以及驱动评估板的设计。

 作为第三代半导体器件,碳化硅MOSFET越来越受到学术界和工业的关注。碳化硅器件在给系统带来种种优势的情况下,对设计也提出了更高的要求。如果设计碳化硅MOSFET的驱动电炉,如何在故障情况下保护碳化硅MOSFET,已经成为产品设计中必须面对的问题。本期研讨会将由英飞凌工程师为你详细讲解。

注册 用户帮助

快捷点播入口

江西快3 北京快3 吉林快3 福建快3 北京快3 河南快3 广西快3 北京快3 江西快3 安徽快3